长飞半导体申请晶圆制样设备以及制样方法专利降低碳化硅晶圆成本

　　金融界2025年5月7日消息，国家知识产权局信息显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司申请一项名为“晶圆的制样设备以及制样方法”的专利，公开号CN119935670A，申请日期为2024年12月。

　　专利摘要显示，本申请提供了一种晶圆的制样设备以及制样方法，该制样设备包括载台、掩模版、移动装置和离子注入装置。载台用于承载碳化硅晶圆，掩膜板设置于载台的承载碳化硅晶圆的一侧，掩膜板包括开口，开口在载台上的正投影至少部分位于碳化硅晶圆在载台上的正投影的范围内，移动装置用于控制掩膜板与载台相对控制移动，离子注入装置设置于掩膜板的远离载台的一侧，离子注入装置用于经掩膜板的开口向碳化硅晶圆中注入离子，本申请旨在实现降低碳化硅晶圆的制样成本，并提高碳化硅晶圆的制样效率。

　　天眼查资料显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司，成立于2018年，位于芜湖市，是一家以从事商务服务业为主的企业。企业注册资本29570.8317万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽长飞先进半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目29次，财产线条，此外企业还拥有行政许可12个。

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